原硅和制絨后硅片在功能上存在顯著的差別，主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：

1. 表面形態(tài)與結(jié)構(gòu)

• 原硅片：原硅片通常具有相對(duì)平滑的表面，沒(méi)有明顯的紋理或結(jié)構(gòu)。這種平滑的表面在某些應(yīng)用中可能是有利的，例如在一些需要高平整度或低粗糙度的場(chǎng)合。

• 制絨后硅片：通過(guò)制絨工藝處理后的硅片表面會(huì)形成具有角錐體（金字塔狀）的絨面結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)能夠顯著增加硅片的表面積，從而在后續(xù)的光電轉(zhuǎn)換過(guò)程中提供更多的反應(yīng)位點(diǎn)。

2. 光吸收與反射率

• 原硅片：由于表面光滑，原硅片對(duì)光的反射率較高，這意味著相當(dāng)一部分入射光會(huì)被直接反射回去，而不是被硅片吸收利用。

• 制絨后硅片：制絨工藝通過(guò)形成絨面結(jié)構(gòu)，有效降低了硅片的表面反射率。這種絨面結(jié)構(gòu)能夠增加光在硅片表面的散射和吸收，從而提高光電轉(zhuǎn)換效率。具體來(lái)說(shuō)，絨面電池比光面電池的反射損失小，如果再加減反射膜，其反射率可進(jìn)一步降低。同時(shí)，入射光在光錐表面多次折射，不僅延長(zhǎng)了光程，還增加了對(duì)紅外光子的吸收，進(jìn)而提高了光生載流子的收集幾率。

3. 光電轉(zhuǎn)換效率

• 原硅片：由于反射率較高，原硅片在光電轉(zhuǎn)換過(guò)程中能夠吸收的光子數(shù)量相對(duì)較少，因此光電轉(zhuǎn)換效率相對(duì)較低。

• 制絨后硅片：制絨后的硅片由于反射率降低和光吸收增加，光電轉(zhuǎn)換效率顯著提高。此外，在同樣尺寸的基片上，絨面電池的PN結(jié)面積比光面大得多，這也有助于提高短路電流和轉(zhuǎn)換效率。

4. 應(yīng)用場(chǎng)合

• 原硅片：原硅片適用于對(duì)表面平整度要求較高或不需要高光電轉(zhuǎn)換效率的場(chǎng)合。

• 制絨后硅片：制絨后的硅片廣泛應(yīng)用于太陽(yáng)能電池等需要高效光電轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。此外，由于其表面形貌的特殊性，制絨后硅片還可能在其他需要特殊表面結(jié)構(gòu)的領(lǐng)域中發(fā)揮作用。

綜上所述，原硅和制絨后硅片在表面形態(tài)、光吸收與反射率、光電轉(zhuǎn)換效率以及應(yīng)用場(chǎng)合等方面都存在顯著的差別。制絨工藝通過(guò)改變硅片的表面形態(tài)和結(jié)構(gòu)，顯著提高了其光電轉(zhuǎn)換效率和應(yīng)用性能。